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MRW54001

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.16A I(C), L Band, Silicon, NPN,
产品类别晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRW54001概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.16A I(C), L Band, Silicon, NPN,

MRW54001规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.16 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压22 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带L BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
Base Number Matches1

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MRW54001
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .200 4L PILL
DESCRIPTION:
The
ASI MRW54001
is Designed for
Classs "A" and "AB" Amplifier
Applications Up to 2.0 GHz.
FEATURES:
Omnigold™
Metalization System
Implanted ballast resistors
Common-Emitter
MAXIMUM RATINGS
I
V
CEO
V
CES
T
J
T
STG
θ
JC
160 mA
22 V
50 V
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +200 °C
40 °C/W
UNIT
mm
inches
1 = Collector
b
1.63
1.38
0.065
0.055
B
1
0.81
0.71
0.032
0.028
3 = Base
c
0.16
0.10
0.006
0.004
2 & 4 = Emitter
D
3.38
3.08
0.133
0.121
D
1
5.28
5.12
0.208
0.202
D
2
5.23
5.13
0.206
0.202
H
19
17
0.75
0.67
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
f
t
C
ob
G
PE
L
G
I
C
= 10 mA
I
C
= 10 mA
T
C
= 25 °C
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
22
50
45
3.5
250
UNITS
V
V
V
V
µ
A
---
GHz
I
C
= 1.0 mA
I
E
= 250
µA
V
CB
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 20 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 20 V
f = 2.0 GHz
I
CQ
= 120 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 120 mA
f = 1.0 MHz
P
out
= 0.5 W
20
4.0
4.5
120
3.5
10
-0.2/+1.0
pF
dB
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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