MOSFET TO263-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
雪崩能效等级(Eas) | 27 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 26 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IPB60R360P7ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 | |
---|---|---|
描述 | MOSFET TO263-3 | MOSFET TO263-3 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week | 1 week |
雪崩能效等级(Eas) | 27 mJ | 38 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
最大漏源导通电阻 | 0.36 Ω | 0.28 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 26 A | 36 A |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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