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70V3569S6DRI

产品描述IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
产品类别存储   
文件大小189KB,共17页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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70V3569S6DRI概述

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

70V3569S6DRI规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 双端口,同步
存储容量576Kb (16K x 36)
访问时间6ns
存储器接口并联
电压 - 电源3.15 V ~ 3.45 V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装
封装/外壳208-BFQFP
供应商器件封装208-PQFP(28x28)

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IDT70V3569S
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
Features:
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-ball fine-pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Green parts availble, see ordering instructions
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
3R
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/W
L
B B
WW
0 1
L L
B B
WW
2 3
L L
B BB B
W WW W
3 2 1 0
R RR R
R/W
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
OE
R
16K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
13L
A
0L
CNTRST
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
A
13R
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CNTRST
R
ADS
R
CNTEN
R
4831 tbl 01
FEBRUARY 2018
1
©2018 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 4831/14

70V3569S6DRI相似产品对比

70V3569S6DRI 70V3569S4DRG 70V3569S4BFG
描述 IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA
存储器类型 易失 易失 易失
存储器格式 SRAM SRAM SRAM
技术 SRAM - 双端口,同步 SRAM - 双端口,同步 SRAM - 双端口,同步
存储容量 576Kb (16K x 36) 576Kb (16K x 36) 576Kb (16K x 36)
访问时间 6ns 4.2ns 4.2ns
存储器接口 并联 并联 并联
电压 - 电源 3.15 V ~ 3.45 V 3.15 V ~ 3.45 V 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) 0°C ~ 70°C(TA) 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 208-BFQFP 208-BFQFP 208-LFBGA
供应商器件封装 208-PQFP(28x28) 208-PQFP(28x28) 208-FPBGA(15x15)
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