IS61C64B-10T,IS61C64B-10T pdf中文资料,IS61C64B-10T引脚图,IS61C64B-10T电路-Datasheet-电子工程世界

IS61C64B-10T: 产品描述8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM; 产品类别存储存储; 文件大小42KB，共9页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61C64B-10T概述

8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	PLASTIC, TSOP1-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	10 ns
其他特性	LOW POWER STANDBY MODE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	11.8 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.75 V
最大压摆率	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

	IS61C64B-10T	IS61C64B-12J	IS61C64B	IS61C64B-10J	IS61C64B-15J	IS61C64B-12T	IS61C64B-15T
描述	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ