TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
| 表面贴装 | YES |
| Base Number Matches | 1 |
| MTD6N10ET4 | MTD6N10E | |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,6A I(D),TO-252AA |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| Is Samacsys | N | N |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 40 W | 40 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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