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FDD6796

产品描述MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小287KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDD6796概述

MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK

FDD6796规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)20A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)5.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)41nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2315pF @ 13V
功率耗散(最大值)3.7W(Ta),42W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D-PAK(TO-252)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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