MOSFET P-CH 30V SOT883
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Nexperia |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | DFN1006-3, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT883 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Samacsys Description | MOSFET 30V P-Channel Trench MOSFET |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.51 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 参考标准 | IEC-60134 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| PMZ320UPEYL | 934068611315 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 30V SOT883 | MOSFET P-CH 30V SOT883 |
| 厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
| 包装说明 | DFN1006-3, 3 PIN | DFN1006-3, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1 A | 1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.51 Ω | 0.51 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 | R-PBCC-N3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 参考标准 | IEC-60134 | IEC-60134 |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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