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SI3415-TP

产品描述MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小609KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SI3415-TP在线购买

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SI3415-TP概述

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

SI3415-TP规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)50 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)17.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1450pF @ 10V
功率耗散(最大值)350mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

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$ %    !"#
SI3415
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Excellent
R
DS(ON)
low gate charge,low gate voltages
Load switch and in PWM applicatopns
Marking Code: R15
SOT-23 Package
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
P-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
D
3
1.GATE
2. SOURCE
C
B
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
DS
I
D
V
GS
P
D
R
©
JA
T
J
T
STG
3. DRAIN
Parameter
Drain-source Voltage
Drain Current-Continuous
Gate-source Voltage
Total Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
-20
-4.0
f
8
0.35
357
-55 to +150
-55 to +150
Unit
V
A
V
W
/W
1
F
E
2
G
H
J
K
DIMENSIONS
Internal Block Diagram
D
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
G
S
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
.037
.950
.037
.950
Revision:
B
www.mccsemi.com
1 of
4
2013/01/01

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