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1N5817-TP

产品描述DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小473KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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1N5817-TP概述

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

1N5817-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)20V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf450mV @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1mA @ 20V
不同 Vr,F 时的电容110pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5817
THRU
1N5819
1 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 to 40 Volts
DO-41
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Guard Ring Protection
Low Forward Voltage
Low Power Loss For High Efficiency
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +125°C
Maximum Thermal Resistance; 80°C/W Junction To Ambient
MCC
Part Number
1N5817
1N5818
1N5819
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
40V
I
F(AV)
I
FSM
Maximum
RMS Voltage
14V
21V
28V
1.0A
25A
Maximum DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
T
A
= 90°C
8.3ms, half sine
D
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1N5817
1N5818
1N5819
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical
Reverse
Recovery Time
Typical Junction
Capacitance
A
Cathode
Mark
B
C
V
F
.45V
.55V
.60V
1.0mA
10mA
10ns
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
DIMENSIONS
I
R
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A
I
RR
=0.25A
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
Trr
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
MAX
.166
.205
.080
.107
.028
.034
1.000
---
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
C
j
110pF
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
Note:1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
Revision: C
www.mccsemi.com
1 of 3
2014/08/27

1N5817-TP相似产品对比

1N5817-TP 1N5819-TP 1N5818-TP
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
二极管类型 肖特基 肖特基 肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 20V 40V 30V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 450mV @ 1A 600mV @ 1A 550mV @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 1mA @ 20V 1mA @ 40V 1mA @ 30V
安装类型 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -55°C ~ 125°C -55°C ~ 125°C -55°C ~ 125°C
不同 Vr,F 时的电容 110pF @ 4V,1MHz 110pF @ 4V,1MHz -
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