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RN1611(TE85L,F)

产品描述TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小297KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1611(TE85L,F)概述

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

RN1611(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)120
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN1610, RN1611
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1610, RN1611
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in SM6 (super-mini-type with six (6) leads)
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and manufacturing process
Complementary to RN2610 and RN2611
Unit: mm
Equivalent Circuit
SM6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
300
150
−55
to150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-3N1A
Weight: 15 mg (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*
Total rating
Equivalent Circuit
(Top View)
Start of commercial production
1988-11
1
2014-03-01

RN1611(TE85L,F)相似产品对比

RN1611(TE85L,F) RN1610(TE85L,F)
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
元件数量 2 2
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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