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FQB34N20LTM

产品描述MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQB34N20LTM概述

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

FQB34N20LTM规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码418AJ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
雪崩能效等级(Eas)640 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)31 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)67 pF
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值3.13 W
最大功率耗散 (Abs)180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)124 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)1100 ns
最大开启时间(吨)1150 ns
Base Number Matches1
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