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IRGBC30KD2-STRRPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN
产品类别晶体管   
文件大小260KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRGBC30KD2-STRRPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN

IRGBC30KD2-STRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)23 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)190 ns
标称接通时间 (ton)64 ns
VCEsat-Max3.8 V
Base Number Matches1

IRGBC30KD2-STRRPBF相似产品对比

IRGBC30KD2-STRRPBF IRGBC30KD2-STRLPBF IRGBC30KD2-STRR IRGBC30KD2-STRL
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
Is Samacsys N N N N
其他特性 SHORT CIRCUIT RATED SHORT CIRCUIT RATED SHORT CIRCUIT RATED SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 23 A 23 A 23 A 23 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 100 W 100 W 100 W 100 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 190 ns 190 ns 190 ns 190 ns
标称接通时间 (ton) 64 ns 64 ns 64 ns 64 ns
VCEsat-Max 3.8 V 3.8 V 3.8 V 3.8 V
Base Number Matches 1 1 1 1

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