MB81V18165A-70PFTN,MB81V18165A-70PFTN pdf中文资料,MB81V18165A-70PFTN引脚图,MB81V18165A-70PFTN电路-Datasheet-电子工程世界

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MB81V18165A-70PFTN: 产品描述EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44; 产品类别存储; 文件大小1MB，共30页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB81V18165A-70PFTN概述

EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

MB81V18165A-70PFTN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数	50
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44/50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

MB81V18165A-70PFTN相似产品对比

	MB81V18165A-70PFTN	MB81V18165A-70PJ	MB81V18165A-60PFTN
描述	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	TSOP2	SOJ	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44/50,.46,32	SOJ, SOJ42,.44	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数	50	42	50
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-J42	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	20.95 mm	27.3 mm	20.95 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	44	42	44
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	SOJ	TSOP2
封装等效代码	TSOP44/50,.46,32	SOJ42,.44	TSOP44/50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024
座面最大高度	1.2 mm	3.75 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES
最大待机电流	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.17 mA	0.17 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子节距	0.8 mm	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
Is Samacsys	N	N	-
Base Number Matches	1	1	-

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