IRHNA54064,IRHNA54064 pdf中文资料,IRHNA54064引脚图,IRHNA54064电路-Datasheet-电子工程世界

IRHNA54064: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN; 产品类别晶体管; 文件大小180KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRHNA54064概述

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN

IRHNA54064规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.0056 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRHNA54064相似产品对比

	IRHNA54064	IRHNA53064	IRHNA54064PBF	IRHNA57064	IRHNA57064PBF	IRHNA58064	IRHNA58064PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.0056 Ω	0.0056 Ω	0.0056 Ω	0.0056 Ω	0.0056 Ω	0.0056 Ω	0.0056 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	-	EAR99	-
Is Samacsys	N	-	-	N	N	N	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A	75 A	-	75 A	75 A	75 A	-
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	-	e0	-
最大功率耗散 (Abs)	300 W	300 W	-	250 W	250 W	300 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	-	Not Qualified	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
其他特性	-	-	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED	HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED

推荐资源

细丝报警电路图

IR2130与单片机及SLE4520相结合用于三相变频系统图

在光电流应用中补偿电流反馈放大器: [align=left][size=14pt]电流反馈放大器(CFA)历来都不是跨阻放大器(TIA)的首选，因为它们具有较高的反相输入电流和反相输入电流噪声，可能比同等级电压反馈放大器(VFA)至少高出一个数量级。另外，许多系统设计师对CFA并不熟悉，因为不大愿意使用它们。然而，事实上，CFA使用起来非常简单，而且在要求高增益、低功耗、低噪声、宽带宽和高压摆率的应用中，其性能可能超过VFA。其主要...; youluo ADI参考电路

MSP430F5438A如何下载程序: 手上有一个5438A的Demo板和一个最新的“MSP-FET Flash Emulation Tool”仿真器。在CCS里Debug时，一直提示“No usb fet was found”。但是我在“资源管理器”中已经看到“MSP Debug Interface(COM10)”了不知道为什么还是不行！！我想问的是，有没有适用于“MSP-FET Flash Emulation Tool”仿真器的，只...; darkduck 微控制器 MCU

各位大侠，stm32代码下载进去了，必须复位几次串口才能往外发送数据，接收正常: 各位大侠，stm32代码下载进去了，必须复位几次串口才能往外发送数据，接收正常？这是什么情况...; likang0110 stm32/stm8

【笔记】MSP430F5438研究心得: [color=#333333][font=Arial][size=18px]一、多源中断问题#pragma vector = PORT2_VECTOR__interrupt void port2(void){switch(P2IV){case P2IV_P2IFG6:P2IFG &=~BIT6;P1OUT ^= BIT0;break;//LED1 亮灭case P2IV_P2IFG7:P2IFG ...; 祥子微控制器 MCU

aRM 9的应用: 向同学借了一块ARM板，上面的功能有很多，显示屏，可以上网，接入鼠标接口，3G卡，内存卡，同时需要JTAG的线接入下载程序，我还想找些资料。有关ARM9的开发资料，各位高人有什么好东西，希望能够不惜赐教！谢谢。...; 张大爷 Microchip MCU

调查大家常用的IDE: 请问现在的公司用C来做嵌入式开发，一般用什么IDE的？（IDE就是指"写代码/编译/调试"的工具），谢谢...; xiaoyal 嵌入式系统

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看