电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

GPA806HC0G

产品描述DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小214KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
下载文档 详细参数 全文预览

GPA806HC0G概述

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

GPA806HC0G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 86  395  464  544  1237 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved