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SLD8S26A

产品描述TVS DIODE 26V 42.1V SMTO-263
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小739KB,共6页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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SLD8S26A概述

TVS DIODE 26V 42.1V SMTO-263

SLD8S26A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明R-PSSO-C1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionESD Suppressors / TVS Diodes 26V 7kW UNI-DIR SLD8S AEC-Q101
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压31.9 V
最小击穿电压28.9 V
击穿电压标称值30.4 V
外壳连接ANODE
最大钳位电压42.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码R-PSSO-C1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散7000 W
元件数量1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散8 W
参考标准AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4
最大重复峰值反向电压26 V
最大反向电流2 µA
反向测试电压26 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
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