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AOT15B65M1

产品描述IGBT 650V 15A TO220
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小561KB,共9页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
标准
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AOT15B65M1概述

IGBT 650V 15A TO220

AOT15B65M1规格参数

参数名称属性值
电压 - 集射极击穿(最大值)650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)45A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.15V @ 15V,15A
功率 - 最大值214W
开关能量290µJ(开),200µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷32nC
25°C 时 Td(开/关)值13ns/116ns
测试条件400V,15A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)317ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220

AOT15B65M1相似产品对比

AOT15B65M1 AOB15B65M1
描述 IGBT 650V 15A TO220 IGBT 650V 30A TO263
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A 30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 45A 45A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.15V @ 15V,15A 2.15V @ 15V,15A
功率 - 最大值 214W 214W
开关能量 290µJ(开),200µJ(关) 290µJ(开),200µJ(关)
输入类型 标准 标准
栅极电荷 32nC 32nC
25°C 时 Td(开/关)值 13ns/116ns 13ns/116ns
测试条件 400V,15A,20 欧姆,15V 400V,15A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 317ns 317ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔 表面贴装
封装/外壳 TO-220-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 TO-220 TO-263(D2Pak)

 
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