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SG-636SCE 20.0000MC3:ROHS

产品描述OSC XO 20.000MHZ CMOS SMD
产品类别无源元件   
文件大小318KB,共2页
制造商EPSON
官网地址http://www.epsondevice.com
标准
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SG-636SCE 20.0000MC3:ROHS概述

OSC XO 20.000MHZ CMOS SMD

SG-636SCE 20.0000MC3:ROHS规格参数

参数名称属性值
类型XO(标准)
频率20MHz
功能待机 (断电)
输出CMOS
电压 - 电源3.3V
工作温度-20°C ~ 70°C
电流 - 电源(最大值)9mA
安装类型表面贴装
封装/外壳4-SOJ,5.08mm 间距
大小/尺寸0.413" 长 x 0.197" 宽(10.50mm x 5.00mm)
高度 - 安装(最大值)0.106"(2.70mm)
电流 - 电源(禁用)(最大值)2µA

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Crystal oscillator
Product Number (please contact us)
SG-636
: Q33636xx2xxxx00
CRYSTAL OSCILLATOR (SPXO)
OUTPUT : CMOS, TTL
SG - 636
series
Frequency
range
Supply
voltage
Function
External
dimensions
:
:
:
:
2.21675 MHz to 41 MHz
2.5 V Typ. / 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
Output enable(OE) or Standby(
ST
)
10.5 × 5.8 × 2.7 mm (t: Max.)
Actual size
SG-636 series
Specifications (characteristics)
Item
Output frequency range
Supply voltage
Storage temperature
Operating temperature
Frequency tolerance
Current consumption
Disable current
Stand-by current
Symmetry
Symbol
f
0
V
CC
T_stg
T_use
f_tol
I
CC
I_dis
I_std
SYM
V
OH
Output voltage
V
OL
Output load condition
(TTL)
Output load condition
(CMOS)
Input voltage
Rise time / Fall time
Start-up time
Frequency aging
L_TTL
L_CMOS
V
IH
V
IL
t
r
/ t
f
t_str
f_aging
10 TTL Max.
50 pF Max.
2.0 V Min.
0.8 V Max.
7 ns Max.
5 ns Max.
4 ms Max.
30 pF Max.
80 % V
CC
Min.
20 % V
CC
Max.
5 ns Max.
-
4 ms Max.
5 
10
-6
/ year Max.
0.4 V Max.
-
15 pF Max.
OE Terminal or
ST
Terminal (SCE)
CMOS load:20 % V
CC
to 80 % V
CC
level
TTL load:0.4 V to 2.4 V level
Time at minimum supply voltage to be 0 s
+25
C,
V
CC
=5.0 V/3.3 V/2.5 V, First year
SG-636 PTF
2.21675 MHz
to 41.000 MHz
5.0 V
0.5
V
Specifications
SG-636 PCE
SG-636 PDE
SG-636 SCE
2.21675 MHz
2.21675 MHz
to 40.000 MHz
to 40.000 MHz
3.3 V
0.3
V
2.5 V
0.25
V
-55
C
to +100
C
-20
C
to +70
C
C:
100
× 10
-6
9 mA Max.
5 mA Max.
5 mA Max.
3 mA Max.
2
A
Max.
-
45 % to 55 %
-
V
CC
-0.4 V Min.
Conditions / Remarks
Please contact us about available frequencies.
Storage as single product.
-20
C
to +70
C
No load condition
OE=GND
ST
=GND(SCE)
CMOS load:50 % V
CC
level
TTL load: 1.4 V level
I
OH
=-8 mA(PTF) / -4 mA(SCE,PCE) /
-3.2 mA(PDE)
I
OL
=16 mA(PTF) / 4 mA(SCE,PCE) /
3.2 mA(PDE)
L_CMOS
15 pF
17 mA Max.
10 mA Max.
-
40 % to 60 %
45 % to 55 %
Product Name
(Standard form)
SG-636 P T F 18.432000MHz C
① ②③
①Model ②Function
(P: Output enable, S:Standby)
③Supply
voltage(T : 5.0V Typ.
④Frequency ⑤Frequency
tolerance( C : ±100 × 10
-6
/ -20 °C ~ +70 °C)
(Unit:mm)
C : 3.3V Typ. D : 2.5V Typ.)
.
External dimensions
10.5 Max.
#4
#3
Footprint
(
Recommended
)
(Unit:mm)
1.3
Pin map
Pin
1
2
3
4
Connection
OE or
ST
GND
OUT
V
CC
PTF9352A
#1
#2
5.0
2.7 Max.
0.51
5.08
(1.0)
3.6
(1.0)
5.08
To maintain stable operation, provide a 0.01uF to
0.1uF by-pass capacitor at a location as near as
possible to the power source terminal of the crystal
product (between Vcc - GND).
0.05Min.
The metal case inside of the molding compound may be exposed on the top or bottom of this product.
This purely cosmetic and does not have any effect on quality, reliability or electrical specs.
Note.
OE pin (PTF,PCE,PDE)
OE pin = "H" or "open" : Specified frequency output.
OE pin = "L" : Output is high impedance.
ST pin (SCE)
ST pin = "H" or "open" : Specified frequency output.
ST pin = "L" : Output is low level ,oscillation stops.
4.6
2.1
E 18.4320C
5.8 Max.
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