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CMR1U-13M TR13

产品描述DIODE GEN PURP 1300V 1A SMA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小666KB,共4页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMR1U-13M TR13概述

DIODE GEN PURP 1300V 1A SMA

CMR1U-13M TR13规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1300V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.9V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1300V
不同 Vr,F 时的电容6pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装SMA
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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CMR1U-13M
SURFACE MOUNT SILICON
ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
1.0 AMP, 1300 VOLT
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMR1U-13M is a
highly reliable 1.0 Amp silicon Ultra Fast Recovery
rectifier designed for use in all types of high voltage
applications where small size is required.
MARKING CODE: CU13M
SMA CASE
APPLICATIONS:
• Freewheeling diode
• Power factor correction
• Power supply snubber
FEATURES:
• High reverse voltage
• Ultra fast recovery time
• Low leakage current
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
DC Blocking Voltage
VR
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=75°C)
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
BVR
VF
trr
CJ
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JL
1300
1300
910
1.0
30
-65 to +175
30
UNITS
V
V
V
A
A
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
VR=1300V
IR=0.5mA
IF=1.0A
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
VR=4.0V, f=1.0MHz
1300
MAX
5.0
1.9
75
UNITS
μA
V
V
ns
pF
6.0
R2 (1-May 2015)

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