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APTGT35A120D1G

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小185KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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APTGT35A120D1G概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

APTGT35A120D1G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1646041097
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-7
针数7
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)55 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)830 ns
标称接通时间 (ton)280 ns

APTGT35A120D1G相似产品对比

APTGT35A120D1G APTGT35A120D1
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
Objectid 1646041097 2121116791
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 MODULE-7 MODULE-7
针数 7 7
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 55 A 55 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7
JESD-609代码 e1 e0
元件数量 2 2
端子数量 7 7
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN LEAD
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 830 ns 830 ns
标称接通时间 (ton) 280 ns 280 ns

 
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