Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 1646041097 |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | MODULE-7 |
针数 | 7 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 55 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 830 ns |
标称接通时间 (ton) | 280 ns |
APTGT35A120D1G | APTGT35A120D1 | |
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描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
Objectid | 1646041097 | 2121116791 |
零件包装代码 | MODULE | MODULE |
包装说明 | MODULE-7 | MODULE-7 |
针数 | 7 | 7 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 55 A | 55 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 | R-XUFM-X7 |
JESD-609代码 | e1 | e0 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 7 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 830 ns | 830 ns |
标称接通时间 (ton) | 280 ns | 280 ns |
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