AH229-F54,AH229-F54 pdf中文资料,AH229-F54引脚图,AH229-F54电路-Datasheet-电子工程世界

AH229-F54: 产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 6.9pF C(T), 15V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt; 产品类别二极管变容二极管; 文件大小179KB，共4页; 制造商Thales Group

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AH229-F54概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 6.9pF C(T), 15V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt

参数名称	属性值
厂商名称	Thales Group
包装说明	O-XEMW-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最小击穿电压	15 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	20%
标称二极管电容	6.9 pF
二极管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND
JESD-30 代码	O-XEMW-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	MICROWAVE
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	1500
最大反向电流	0.1 µA
反向测试电压	10 V
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	END
变容二极管分类	HYPERABRUPT
Base Number Matches	1

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