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IS64WV102416BLL-10CTLA3

产品描述Standard SRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48
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文件大小264KB,共20页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS64WV102416BLL-10CTLA3在线购买

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IS64WV102416BLL-10CTLA3概述

Standard SRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48

IS64WV102416BLL-10CTLA3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码TSOP1
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991
Factory Lead Time12 weeks
Is SamacsysN
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.05 A
最小待机电流1.2 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度12 mm
Base Number Matches1

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描述 Standard SRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48 SRAM SRAM Standard SRAM, 1MX16, 20ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48 Standard SRAM, 1MX16, 20ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, MO-207, BGA-48 SRAM Standard SRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, MO-207, BGA-48
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 不符合 - 不符合
零件包装代码 TSOP1 - - TSOP1 DSBGA - DSBGA
包装说明 TSSOP, TSSOP48,.8,20 - , TSSOP, TSSOP48,.8,20 TFBGA, BGA48,6X8,30 , TFBGA, BGA48,6X8,30
针数 48 - - 48 48 - 48
ECCN代码 3A991 - - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991
Factory Lead Time 12 weeks 12 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks 8 weeks -
最长访问时间 10 ns - - 20 ns 20 ns - 10 ns
I/O 类型 COMMON - - COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 - - R-PDSO-G48 R-PBGA-B48 - R-PBGA-B48
JESD-609代码 e3 - - e3 e0 - e0
长度 18.4 mm - - 18.4 mm 11 mm - 11 mm
内存密度 16777216 bit - - 16777216 bit 16777216 bit - 16777216 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - - STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 16 - - 16 16 - 16
功能数量 1 - - 1 1 - 1
端子数量 48 - - 48 48 - 48
字数 1048576 words - - 1048576 words 1048576 words - 1048576 words
字数代码 1000000 - - 1000000 1000000 - 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C - - 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 1MX16 - - 1MX16 1MX16 - 1MX16
输出特性 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP - - TSSOP TFBGA - TFBGA
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 - - TSSOP48,.8,20 BGA48,6X8,30 - BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - 260 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 2.5/3.3 V - - 1.8/2 V 1.8/2 V - 2.5/3.3 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm - - 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm
最大待机电流 0.05 A - - 0.02 A 0.02 A - 0.02 A
最小待机电流 1.2 V - - 1.2 V 1.2 V - 1.2 V
最大压摆率 0.14 mA - - 0.06 mA 0.06 mA - 0.095 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - - 2.2 V 2.2 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.4 V - - 1.65 V 1.65 V - 2.4 V
表面贴装 YES - - YES YES - YES
技术 CMOS - - CMOS CMOS - CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - - Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - - GULL WING BALL - BALL
端子节距 0.5 mm - - 0.5 mm 0.75 mm - 0.75 mm
端子位置 DUAL - - DUAL BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - - 40 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 12 mm - - 12 mm 9 mm - 9 mm
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