Standard SRAM, 2MX18, 3.5ns, CMOS, PDSO100, LEAD FREE, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | LSSOP, QFP100,.63X.87 |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
Factory Lead Time | 13 weeks 6 days |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 3.5 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G100 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 37748736 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LSSOP |
封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.6 mm |
最大待机电流 | 0.075 A |
最小待机电流 | 3.14 V |
最大压摆率 | 0.45 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 14 mm |
Base Number Matches | 1 |
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