LM747EJ放大器基础信息:
LM747EJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3
LM747EJ放大器核心信息:
LM747EJ的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.08 µA他的最大平均偏置电流为0.21 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LM747EJ的标称压摆率有0.7 V/us。厂商给出的LM747EJ的最大压摆率为5 mA,而最小压摆率为0.3 V/us。其最小电压增益为10000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LM747EJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1500 kHz。
LM747EJ的标称供电电压为20 V,其对应的标称负供电电压为-20 V。而其供电电源的范围为:+-5/+-20 V。LM747EJ的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LM747EJ的相关尺寸:
LM747EJ的宽度为:7.62 mm,长度为19.304 mmLM747EJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
LM747EJ放大器其他信息:
LM747EJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM747EJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL。LM747EJ不符合Rohs认证。
其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM747EJ的封装代码是:DIP。LM747EJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。
LM747EJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
LM747EJ放大器基础信息:
LM747EJ是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP14,.3
LM747EJ放大器核心信息:
LM747EJ的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.08 µA他的最大平均偏置电流为0.21 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,LM747EJ的标称压摆率有0.7 V/us。厂商给出的LM747EJ的最大压摆率为5 mA,而最小压摆率为0.3 V/us。其最小电压增益为10000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LM747EJ增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1500 kHz。
LM747EJ的标称供电电压为20 V,其对应的标称负供电电压为-20 V。而其供电电源的范围为:+-5/+-20 V。LM747EJ的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LM747EJ的相关尺寸:
LM747EJ的宽度为:7.62 mm,长度为19.304 mmLM747EJ拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14
LM747EJ放大器其他信息:
LM747EJ采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。LM747EJ的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:COMMERCIAL。LM747EJ不符合Rohs认证。
其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。LM747EJ的封装代码是:DIP。LM747EJ封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。
LM747EJ封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.21 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.08 µA |
| 标称共模抑制比 | 95 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 4000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.304 mm |
| 低-失调 | NO |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -20 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5/+-20 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.3 V/us |
| 标称压摆率 | 0.7 V/us |
| 最大压摆率 | 5 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 20 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1500 kHz |
| 最小电压增益 | 10000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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