H5N3011P,H5N3011P pdf中文资料,H5N3011P引脚图,H5N3011P电路-Datasheet-电子工程世界

H5N3011P: 产品描述88 A, 300 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小107KB，共7页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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H5N3011P概述

88 A, 300 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

参数名称	属性值
最小击穿电压	300 V
端子数量	3
加工封装描述	TO-3P, 3 PIN
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
壳体连接	DRAIN
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_	88 A
最大漏电流	88 A
最大漏极导通电阻	0.0480 ohm
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jesd_30_code	R-PSFM-T3
jesd_609_code	e2
moisture_sensitivity_level	1
元件数量	1
操作模式	ENHANCEMENT MODE
最大工作温度	150 Cel
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	N-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_	150 W
最大漏电流脉冲	176 A
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	FET General Purpose Powe
表面贴装	NO
端子涂层	TIN COPPER
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	H5N3011P	H5N3011P-E
描述	88 A, 300 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	88 A, 300 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量	3	3
元件数量	1	1
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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