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AM29BL162CB-65RZE

产品描述1M X 16 FLASH 3V PROM, 65 ns, PDSO56
产品类别存储    存储   
文件大小490KB,共52页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM29BL162CB-65RZE概述

1M X 16 FLASH 3V PROM, 65 ns, PDSO56

1M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 65 ns, PDSO56

AM29BL162CB-65RZE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码SSOP
包装说明SSOP, SOP56,.6,32
针数56
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间65 ns
其他特性CAN ALSO OPERATE IN SYNCHRONOUS BURST MODE; 20 YEAR DATA RETENTION
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
JESD-30 代码R-PDSO-G56
JESD-609代码e0
长度23.7 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量56
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装等效代码SOP56,.6,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度2 mm
部门规模8K,4K,112K,128K
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
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