1M X 16 FLASH 3V PROM, 65 ns, PDSO56
1M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 65 ns, PDSO56
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | SSOP |
包装说明 | SSOP, SOP56,.6,32 |
针数 | 56 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 65 ns |
其他特性 | CAN ALSO OPERATE IN SYNCHRONOUS BURST MODE; 20 YEAR DATA RETENTION |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
数据保留时间-最小值 | 20 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 23.7 mm |
内存密度 | 16777216 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,2,1,7 |
端子数量 | 56 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 1MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SSOP |
封装等效代码 | SOP56,.6,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 2 mm |
部门规模 | 8K,4K,112K,128K |
最大待机电流 | 0.00001 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 13.3 mm |
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