AM29BL802CB-80RDPH1,AM29BL802CB-80RDPH1 pdf中文资料,AM29BL802CB-80RDPH1引脚图,AM29BL802CB-80RDPH1电路-Datasheet-电子工程世界

AM29BL802CB-80RDPH1: 产品描述8 Megabit (512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Burst-mode, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1; 产品类别存储存储; 文件大小135KB，共17页; 制造商SPANSION; 官网地址http://www.spansion.com/

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AM29BL802CB-80RDPH1概述

8 Megabit (512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Burst-mode, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SPANSION
零件包装代码	DIE
包装说明	DIE, DIE OR CHIP
针数	51
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	80 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-XUUC-N51
JESD-609代码	e0
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,3,2
端子数量	51
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	145 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX16
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIE
封装等效代码	DIE OR CHIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
部门规模	(8,4,48,64,128)K
最大待机电流	0.000035 A
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	30
切换位	YES
类型	NOR TYPE
Base Number Matches	1

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