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934067037115

产品描述MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小756KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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934067037115概述

MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK

934067037115规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)80.8 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)49 A
最大漏源导通电阻0.022 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-235
JESD-30 代码R-PSSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)197 A
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

934067037115相似产品对比

934067037115 BUK9Y22-100E,115
描述 MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code compliant not_compliant
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 80.8 mJ 80.8 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 49 A 49 A
最大漏源导通电阻 0.022 Ω 0.022 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MO-235 MO-235
JESD-30 代码 R-PSSO-G4 R-PSSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 197 A 197 A
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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