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M28W160ECB100ZB6

产品描述1MX16 FLASH 3V PROM, 100ns, PBGA46, 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-46
产品类别存储   
文件大小861KB,共50页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M28W160ECB100ZB6概述

1MX16 FLASH 3V PROM, 100ns, PBGA46, 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-46

M28W160ECB100ZB6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-46
针数46
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间100 ns
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B46
JESD-609代码e1
长度6.39 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量46
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA46,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度6.37 mm
Base Number Matches1

 
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