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IRGNI0025M12

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7
产品类别晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRGNI0025M12概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7

IRGNI0025M12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明INT-A-PAK-7
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性FAST
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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