Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
针数 | 7 |
Reach Compliance Code | compliant |
Is Samacsys | N |
其他特性 | FAST |
最大集电极电流 (IC) | 25 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE |
JESD-30 代码 | R-PUFM-X7 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 7 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 125 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 2.8 V |
Base Number Matches | 1 |
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