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IRGNI0025M12PBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7
产品类别晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRGNI0025M12PBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, INT-A-PAK-7

IRGNI0025M12PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性FAST
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.8 V
Base Number Matches1

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