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IRF330

产品描述IRF330
产品类别晶体管   
文件大小58KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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IRF330概述

IRF330

IRF330规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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IRF330
Data Sheet
March 1999
File Number
1570.4
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel
Power MOSFET
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
tested, and guaranteed to withstand a specified level of
energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of
these power MOSFETs are designed for applications such
as switching regulators, switching convertors, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
These types can be operated directly from integrated
circuits.
Formerly developmental type TA17414.
Features
• 5.5A, 400V
• r
DS(ON)
= 1.000Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
Ordering Information
PART NUMBER
IRF330
PACKAGE
TO-204AA
BRAND
IRF330
Symbol
D
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
S
Packaging
JEDEC TO-204AA
DRAIN
(FLANGE)
SOURCE (PIN 2)
GATE (PIN 1)
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
©
Intersil Corporation 1999
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