256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32
256K × 8 FLASH 5V 可编程只读存储器, 55 ns, PDSO32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns |
其他特性 | MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 42.037 mm |
内存密度 | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,2,1,3 |
端子数量 | 32 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.715 mm |
部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 15.24 mm |
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