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AM29F002NBB-55EI

产品描述256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32
产品类别存储    存储   
文件大小525KB,共42页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM29F002NBB-55EI概述

256K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32

256K × 8 FLASH 5V 可编程只读存储器, 55 ns, PDSO32

AM29F002NBB-55EI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1
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