MVSMBJP6KE200CTR,MVSMBJP6KE200CTR pdf中文资料,MVSMBJP6KE200CTR引脚图,MVSMBJP6KE200CTR电路-Datasheet-电子工程世界

MVSMBJP6KE200CTR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN; 产品类别二极管; 文件大小561KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MVSMBJP6KE200CTR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-214AA
包装说明	R-PDSO-C2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大击穿电压	220 V
最小击穿电压	180 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	235
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	162 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
Base Number Matches	1

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