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IRFP255

产品描述21A, 250V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
产品类别晶体管   
文件大小177KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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IRFP255概述

21A, 250V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

IRFP255规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)1000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)21 A
最大漏极电流 (ID)21 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值180 W
最大功率耗散 (Abs)180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)84 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)208 ns
最大开启时间(吨)159 ns
Base Number Matches1

IRFP255相似产品对比

IRFP255 IRFP254 IRFP256 IRFP257
描述 21A, 250V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 23A, 250V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 23A, 275V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 21A, 275V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1000 mJ 1000 mJ 1000 mJ 1000 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V 275 V 275 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 21 A 23 A 23 A 21 A
最大漏极电流 (ID) 21 A 23 A 23 A 21 A
最大漏源导通电阻 0.17 Ω 0.14 Ω 0.14 Ω 0.17 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 180 W 180 W 180 W 180 W
最大功率耗散 (Abs) 180 W 190 W 180 W 180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 84 A 92 A 92 A 84 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 208 ns 208 ns 208 ns 208 ns
最大开启时间(吨) 159 ns 159 ns 159 ns 159 ns
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