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AM29F200BB-90SE

产品描述128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44
产品类别存储    存储   
文件大小525KB,共41页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM29F200BB-90SE概述

128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44

128K × 16 FLASH 5V 可编程只读存储器, 90 ns, PDSO44

AM29F200BB-90SE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP44,.63
针数44
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间90 ns
其他特性MINIMUM 1000K WRITE/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.2 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度2.8 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
Base Number Matches1

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