Am29F200BT-90DGC1,Am29F200BT-90DGC1 pdf中文资料,Am29F200BT-90DGC1引脚图,Am29F200BT-90DGC1电路-Datasheet-电子工程世界

Am29F200BT-90DGC1: 产品描述2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Revision 1; 产品类别存储存储; 文件大小428KB，共11页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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Am29F200BT-90DGC1概述

2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sectored Flash Memory-Die Revision 1

参数名称	属性值
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	DIE
包装说明	DIE,
针数	42
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度	8
数据保留时间-最小值	20
JESD-30 代码	R-XUUC-N42
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	42
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX16
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIE
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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