4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 2
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | WAFER |
包装说明 | DIE, |
针数 | 43 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 90 ns |
其他特性 | MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION |
备用内存宽度 | 8 |
启动块 | TOP |
数据保留时间-最小值 | 20 |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N43 |
内存密度 | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 43 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 256KX16 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
类型 | NOR TYPE |
Base Number Matches | 1 |
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