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AM29F800BB-70WBI

产品描述512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小692KB,共44页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM29F800BB-70WBI概述

512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48

512K × 16 FLASH 5V 可编程只读存储器, 70 ns, PDSO48

AM29F800BB-70WBI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性MINIMUM 1,000,000 PROGRAM/ERASE CYCLES PER SECTOR; 20-YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度9 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm
Base Number Matches1
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