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AWT6251RM7P8: 产品描述Narrow Band Medium Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, 4 X 4 MM, 1.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, M7, 10 PIN; 产品类别射频和微波; 文件大小295KB，共12页; 制造商II-VI Incorporated; 标准

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AWT6251RM7P8概述

Narrow Band Medium Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, 4 X 4 MM, 1.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, M7, 10 PIN

	AWT6251RM7P8	AWT6251M7P8
描述	Narrow Band Medium Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, 4 X 4 MM, 1.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, M7, 10 PIN	Narrow Band Medium Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, 4 X 4 MM, 1.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, M7, 10 PIN
厂商名称	II-VI Incorporated	II-VI Incorporated
Reach Compliance Code	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N
特性阻抗	50 Ω	50 Ω
构造	COMPONENT	COMPONENT
增益	17 dB	24.5 dB
最大输入功率 (CW)	10 dBm	10 dBm
最大工作频率	1910 MHz	1910 MHz
最小工作频率	1850 MHz	1850 MHz
最高工作温度	90 °C	90 °C
最低工作温度	-10 °C	-10 °C
射频/微波设备类型	NARROW BAND MEDIUM POWER	NARROW BAND MEDIUM POWER
最大电压驻波比	2	2
Base Number Matches	1	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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