AM29LV008BT-120ED,AM29LV008BT-120ED pdf中文资料,AM29LV008BT-120ED引脚图,AM29LV008BT-120ED电路-Datasheet-电子工程世界

AM29LV008BT-120ED: 产品描述8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory; 产品类别存储存储; 文件大小413KB，共41页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com; 标准

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AM29LV008BT-120ED概述

8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	AMD(超微)
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	120 ns
启动块	TOP
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G40
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
部门数/规模	1,2,1,15
端子数量	40
字数	1048576 words
字数代码	1000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP40,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
类型	NOR TYPE

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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