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MT48V2M32LFC-10

产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90
产品类别存储   
文件大小2MB,共50页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT48V2M32LFC-10概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90

MT48V2M32LFC-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA90,9X15,32
针数90
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
JESD-609代码e0
长度13 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00035 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11 mm
Base Number Matches1

MT48V2M32LFC-10相似产品对比

MT48V2M32LFC-10 MT48V2M32LFC-8
描述 Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90 Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA90,9X15,32 11 X 13 MM, PLASTIC, FBGA-90
针数 90 90
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90
JESD-609代码 e0 e0
长度 13 mm 13 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 90 90
字数 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 2MX32 2MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.00035 A 0.00035 A
最大压摆率 0.14 mA 0.15 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11 mm 11 mm
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