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CA741E

产品描述

CA741E放大器基础信息：

CA741E是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。

CA741E放大器核心信息：

CA741E的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.5 µA

厂商给出的CA741E的最大压摆率为3.3 mA.其最小电压增益为25000。

CA741E的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。CA741E的输入失调电压为6000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

CA741E的相关尺寸：

CA741E拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

CA741E放大器其他信息：

CA741E采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。CA741E的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。CA741E不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。CA741E的封装代码是：DIP。CA741E封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。

CA741E封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。

产品类别放大器电路   
文件大小31KB，共1页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
器件替换：CA741E替换放大器
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CA741E概述

CA741E放大器基础信息：

CA741E是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。

CA741E放大器核心信息：

CA741E的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.5 µA

厂商给出的CA741E的最大压摆率为3.3 mA.其最小电压增益为25000。

CA741E的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。CA741E的输入失调电压为6000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

CA741E的相关尺寸：

CA741E拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

CA741E放大器其他信息：

CA741E采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。CA741E的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。CA741E不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。CA741E的封装代码是：DIP。CA741E封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。

CA741E封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。

CA741E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.5 µA
频率补偿YES
最大输入失调电压6000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
低-失调NO
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率3.3 mA
供电电压上限44 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
最小电压增益25000
Base Number Matches1

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Intersil
Drivers, Buffers, Op-Amps and Arrays
Full Bridge MOSFET Drivers
Mfr.Õs
Type
HIP4080AIP
HIP4081AIP
HIP4082IP
Description
FET Driver with Comparator, Under Voltage, for Class D Amps,Voice Coils, and Motor Control
FET Driver with Under Voltage, High Performance for DC-DC Converters, UPS and Motor Control
FET Driver with Under Voltage Independent FET Control
Peak Output
Current
Each Drive
2.50 A
2.50 A
1.25 A
Supply Voltage
Bias/Bus
(V)
Bias: 9.5 to 16.0
Bus: 1.0 to 80.0
Bias: 9.5 to 16.0
Bus: 1.0 to 80.0
Bias: 9.5 to 16.0
Bus: 1.0 to 80.0
No Load Maint.
Supply Current
(mA)
18.5
16.5
6.5
Temperature
Range
(¡C)
Ð40 to +85
Ð40 to +85
Ð40 to +85
Package
Type
20 Lead PDI
20 Lead PDI
16 Lead PDI
High Performance Buffers
Single
Mfr.Õs
Type
PDIP
HFA1112IP
HA3-5033-5
HA3-5002-5
SOIC
Ñ
Ñ
HA9P5002-5
850 MHz Programmable Gain (+2, ±1)
250 MHz Video Buffer
110 MHz High Output Current
Description
Ð3 dB
Bandwidth @
Min. Acl
(MHz)
850
250
110
Slew
Rate
(V/µs)
2050
1100
1300
Settling
Time
(ns to %)
11-0.10
50-0.10
50-0.10
Input
Offset
Voltage
(mV)
8
5
5
Bias
Current
(µA)
25.0
20.0
2.0
Output
Current
(mA/Amp)
60
100
220
Supply
Range
(±V
DC
)
4.5 to 5.5
5.0 to 16.0
6.0 to 16.0
Supply
Current
(mA/Amp)
21.0
21.0
8.3
General Purpose Op-Amps
Single
Mfr.Õs
Type
DIP
CA3130AE
CA3130E
CA3140AE
CA3140E
HA7-2645-5
CA3160E
CA3080E
CA741E
HA3-2525-5
BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/CMOS Output
BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/CMOS Output
BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/Bipolar Output
BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/Bipolar Output
High Voltage Op-Amp
BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/CMOS Output
Operational Transconductance Amplifier (OTA)
High Gain
Uncompensated High Slew Rate Op-Amp
Description
Minimum
Stable
Gain
1
1
1
1
1
1
1
1
3
GBWP
(MHz)
15.0
15.0
4.5
4.5
4.0
4.0
2.0
1.0
20.0
Slew
Rate
(V/µs)
30.0
30.0
9.0
9.0
5.0
10.0
75.0
0.5
120.0
Offset
Voltage
(mV)
2.0
8.0
2.0
5.0
2.0
6.0
0.4
1.0
5.0
Bias
Current
(µA)
5.000 pA
5.000 pA
10.000 pA
10.000 pA
0.012
5.000 pA
2.000
0.080
0.125
Maximum
Supply
Voltage
(±V)
8.0
8.0
18.0
18.0
50.0
8.0
18.0
22.0
20.0
Supply
Current
(mA/Amp)
2.00
2.00
4.00
4.00
3.20
2.00
1.00
1.70
4.00
No. of
Leads
8
8
8
8
8
8
8
8
8
Dual
CA3240AE
CA3240E
CA1458E
Dual BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/Bipolar Output
Dual BiMOS Op-Amp with MOSFET Input/Bipolar Output
High Gain
1
1
1
4.5
4.5
1.0
9.0
9.0
0.5
2.0
5.0
1.0
10.000 pA
10.000 pA
0.080
18.0
18.0
22.0
4.00
4.00
1.70
8
8
8
Transistor/Diode Arrays
Transistor Arrays
Mfr.Õs
Type
CA3046
CA3081
CA3082
CA3083
CA3086
CA3146E
CA3183AE
CA3096E
CA3096AE
CA3096CE
HFA3127B
Description
3 Transistors Plus a Differential Pair, fT > 300 MHz, 2 Matched Pairs ±5 mV
7 Common Emitter General Purpose NPN High Current Transistors
7 Common Collector General Purpose NPN High Current Transistors
5 Independent NPN Transistors. Q1 and Q2 Matched; II0 (at 1 mA) 2.5 µA Max.
3 Isolated NPN Transistors Plus a Differential Pair. fT>500 MHz Typ. from DC to 120 MHz
3 Transistors Plus a Differential Pair, fT > 500 MHz Typ. Operation from DC to 120 MHz
5 High Current/High Voltage NPN Transistors. Q1 and Q2 Matched at 1 mA
5 Independent Transistors, 3 NPN and 2 PNP (NPN/PNP)
5 Independent Transistors, 3 NPN and 2 PNP (NPN/PNP)
5 Independent Transistors, 3 NPN and 2 PNP (NPN/PNP)
5 Independent 8 GHz NPN Transistors, NF = 3.5 dB at 1 GHz (NPN/PNP)
V
(BR)CEO
Min.
(V)
15
16
16
15
15
30
40
35/Ð40
35/Ð40
24/Ð24
8
V
(BR)CBO
Min.
(V)
20
20
20
20
20
40
50
45/Ð40
45/Ð40
30/Ð24
12
h
FE
Min.
40
40
40
40
40
40
40
150/20
150/20
100/15
40
I
C
Max.
(mA)
50
100
100
100
50
75
75
50/Ð10
50/Ð10
50/Ð10
40
Package
Type
14 Lead PDIP
16 Lead PDIP
16 Lead PDIP
16 Lead PDIP
14 Lead PDIP
14 Lead PDIP
16 Lead PDIP
16 Lead PDIP
16 Lead PDIP
16 Lead PDIP
16 Lead SOIC
13
Diode Array
Mfr.Õs
Type
CA3039
Description
6 Individual Ultra-Fast Low Capacitance Matched Diodes
V
(BR)R
Min.
(V)
5
I
R
Max.
(µA)
0.1
C
D
Typ.
(pF)
0.65
V
F1
-V
F2
Max.
(mV)
5 (IF=1 mA)
Package
Type
12 Lead TO-5
Same Day Shipments For Product In Stock
ALLIED
c
823

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