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HAF2011(S)-(1)

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别晶体管   
文件大小45KB,共8页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HAF2011(S)-(1)概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

HAF2011(S)-(1)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

HAF2011(S)-(1)相似产品对比

HAF2011(S)-(1) HAF2011(S)-(2)
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 40 A 40 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
表面贴装 YES YES
Base Number Matches 1 1
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