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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AM29LV320MH101REI
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AM29LV320MH101REI

产品描述2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56
产品类别存储    存储   
文件大小648KB，共59页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
下载文档 详细参数 全文预览

AM29LV320MH101REI概述

2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56

2M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 100 ns, PDSO56

AM29LV320MH101REI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码TSOP1
包装说明MO-142EC, TSOP-56
针数56
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间100 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G56
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模64
端子数量56
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP56,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小4/8 words
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3,3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度14 mm

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