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AO4600

产品描述Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小264KB,共7页
制造商Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
官网地址http://www.aosmd.com/about
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AO4600概述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

AO4600规格参数

参数名称属性值
厂商名称Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompli
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AO4600相似产品对比

AO4600 AO4600L
描述 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
厂商名称 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 8
Reach Compliance Code compli compli
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏源导通电阻 0.027 Ω 0.027 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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