AM29LV641DL121RFI,AM29LV641DL121RFI pdf中文资料,AM29LV641DL121RFI引脚图,AM29LV641DL121RFI电路-Datasheet-电子工程世界

AM29LV641DL121RFI: 产品描述4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小876KB，共57页; 制造商AMD(超微); 官网地址http://www.amd.com

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AM29LV641DL121RFI概述

4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48

4M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 120 ns, PDSO48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
零件包装代码	TSOP
包装说明	REVERSE, TSOP-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	120 ns
其他特性	HARDWARE DATA PROTECTION/RESET PIN, 1 MILLION ERASE CYCLES PER SECTOR
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	128
端子数量	48
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1-R
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2/2.5,3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
反向引出线	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	32K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	12 mm

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