N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
表面贴装 | YES |
AO4412L | AO4412 | |
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描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
厂商名称 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) |
Reach Compliance Code | compli | compli |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8.5 A | 8.5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 3 W | 3 W |
表面贴装 | YES | YES |
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