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AO3406: 产品描述N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共4页; 制造商Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体); 官网地址http://www.aosmd.com/about; 标准

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AO3406概述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3.6 A
最大漏极电流 (ID)	3.6 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.4 W
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

	AO3406	AO3406L
描述	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)	Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏源导通电阻	0.065 Ω	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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